Остальные процессы травления

Лаборатория OIPT: травление золота на 0,5 мкм.

Лаборатория OIPT: анизотропное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы структуры ЦТС (400 нм) / Pt (120 нм) / Ti (30 нм) / низкотемпературный оксид (на заданную глубину).

Лаборатория Института микроструктур Макса Планка в г. Галле (Германия): анизотропное травление хрома на 0,5 мкм со скоростью 12 нм/мин с селективностью к маске AR-P 351 1:1,2 (маска не удалена).

Анизотропное реактивное ионное травление кварца PlasmaPro80, PlasmaPro800 и PlasmaPro100. Особенности технологии, результаты.

Лаборатория компании АМО г. Аахен, Германия: травление TiN — полосы шириной 90 нм.

Сечение в вольфрамовой пластине, выполненное с помощью сфокусированного ионного пучка. Полушаг 35 нм, глубина 300 нм.

Лаборатория OIPT: безостаточное травление Cu.

Реактивное ионное травление Mo во фторсодержащей среде.

Лаборатория OIPT: травление Ta на 1 мкм.

Лаборатория OIPT: травление Nb на 0.3 мкм (фоторезист не удален).

Лаборатория OIPT: Травление ITO с применением индуктивно-связанной плазмы.

Лаборатория OIPT: Глубокое (0,7 мкм) травление PbSe, фоторезист удален.

Терморегуляторы и охладители Пельтье.
Производитель решил изготавливать эти элементы с использованием оборудования для микроэлектроники.
Подложки — стандартные пластины структуры кремний/оксид кремния. Пленки теллурида висмута, обладающие термоэлектрическим эффектом, были протравлены процессом сухого травления с помощью Plasmalab100 с источником индуктивно-связанной плазмы ICP380.

Лаборатория OIPT: травление CMT на 8 мкм, с возможностью контроля профиля (фоторезист не удален).

Лаборатория OIPT: травление сапфира с наклоном боковой стенки в 80°.

Лаборатория Бристольского университета: травление танталата лития на глубину в 1 мкм.

Лаборатория OIPT: анизотропное травление стекла, глубина 10 мкм.

Лаборатория OIPT: травление ниобата лития на 4 мкм (фоторезист не удален).

Лаборатория OIPT: травление Ti на 22 мкм (фоторезист не удален).

Лаборатория Объединенного Восточного университета, Йоэнсуу (Финляндия): Травление TiO₂ под наклоном 30°.