Низкоэнергетичное травление теллурида ртути кадмия (HgCdTe(CMT))
Лаборатория OIPT: травление CMT на 8 мкм, с возможностью контроля профиля (фоторезист не удален)
 |
 |
 |
|---|---|---|
| Анизотропное низкоэнергетичное травление СМТ (глубина 3,5 мкм) | Анизотропное низкоэнергетичное травление СМТ (глубина 4 мкм) | Структура из СМТ. Ширина элементов 50 мкм |
Технологические особенности:
реактивное ионное травление с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц
Важно эффективное охлаждение подложки
Результаты:
скорость: 50 - 500 нм/мин
низкое ВЧ смещение на подложке
скорость: 50 - 500 нм/мин
низкое ВЧ смещение на подложке
маска: фоторезист
равномерность 4% (по пластине 50 мм)
селективность к фоторезисту > 10 : 1
равномерность 4% (по пластине 50 мм)
селективность к фоторезисту > 10 : 1
к SiO2 или SiNx > 20 : 1
отличный контроль профиля