Травление сапфира (Al2O3) с применением индуктивно-связанной плазмы
Лаборатория OIPT: травление сапфира с наклоном боковой стенки в 80о
 |
 |
|---|---|
| Лаборатория OIPT: травление сапфира с наклоном боковой стенки в 80о | Лаборатория OIPT: анизотропный профиль протравленного сапфира |
Технологические особенности:
- реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц
- ВЧ управляемый нижний электрод
Результаты:
- скорость: 65 нм/мин
- равномерность 2,5% по 50 мм пластине
- селективность к Ni маске > 7 : 1
- профиль: анизотропный (наклон 80о)
- гладкие боковые стенки