Skip

Травление тантала (Ta) с помощью индуктивно-связанной плазмы

Лаборатория OIPT: травление Ta на 1 мкм


ta_1.jpg
Лаборатория OIPT: травление Ta на 1 мкм
Технологические особенности:
  • реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц
  • среда: хлорсодержащая плазма
  • анизотропное травление
Результаты:
  • скорость: > 60 нм/мин
  • селективность к "электронно-лучевому" резисту > 2:1
  • селективность к маске из Al2O3 > 16 : 1
  • очень высокая селективность к лежащим в основе слоям SiN и SiC (рентгеновская поглощающая маска на основе SiN или SiC)
  • равномерность по 4 дюймовой пластине 4%
  • травление с низким количеством дефектов ввиду низкого (<40В) смещением на подложке