Травление тантала (Ta) с помощью индуктивно-связанной плазмы

Травление тантала (Ta) с помощью индуктивно-связанной плазмы, описание процесса и оборудование

Лаборатория OIPT: травление Ta на 1 мкм.

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


ta_1.jpg
Лаборатория OIPT: травление Ta на 1 мкм.

Технологические особенности:

  • Реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц;
  • Среда: хлорсодержащая плазма;
  • Анизотропное травление.

Результаты:

  • Скорость: > 60 нм/мин;
  • Селективность к "электронно-лучевому" резисту > 2:1;
  • Селективность к маске из Al2O3 > 16:1;
  • Очень высокая селективность к лежащим в основе слоям SiN и SiC (рентгеновская поглощающая маска на основе SiN или SiC);
  • Равномерность по 4 дюймовой пластине 4%;
  • Травление с низким количеством дефектов ввиду низкого (<40В) смещением на подложке.