Skip

Травление теллурита висмута (Bi2Te3)

Терморегуляторы и охладители Пельтье.
Производитель решил изготавливать эти элементы с использованием оборудования для микроэлектроники.
Подложки - стандартные пластины структуры кремний/оксид кремния. Пленки теллурида висмута, обладающие термоэлектрическим эффектом, были протравлены процессом сухого травления с помощью Plasmalab100 с источником индуктивно-связанной плазмы ICP380.



SEM
SEM
Травление Bi2Te3 на глубину 20 мкм методом реактивного ионного травления с применением индуктивно-связанной плазмы

Технологические особенности:
  • реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц
  • ВЧ управляемый нижний электрод
Результаты:
  • скорость травления > 20 мкм/ч
  • равномерность 4% по подложке 100 мм
  • селективность к фоторезисту > 1:1