Реактивное ионное травление оксида индия, легированного оловом (ITO)
![]() ![]() |
![]() ![]() |
---|---|
Фотографии СЭМ: ITO - глубина травления 100 нм скорость травления: 80 нм/мин равномерность: <3 % (по 100 мм пластине) селективность к фоторезисту: 2.25:1 анизотропный профиль |
Фотографии СЭМ показывают протравленную на 125 нм структуру с ITO, наклон стенки 20о фоторезист не удален |
Технология реактивного ионного травления
- скорость: 20 нм/мин
- равномерность: < 3.5 % (по 100 мм пластине)
- селективность к фоторезисту: 0.4
- для наклона стенки в 20°