Травление теллурита висмута (Bi2Te3)
Терморегуляторы и охладители Пельтье.
Производитель решил изготавливать эти элементы с использованием оборудования для микроэлектроники.
Подложки — стандартные пластины структуры кремний/оксид кремния. Пленки теллурида висмута, обладающие термоэлектрическим эффектом, были протравлены процессом сухого травления с помощью Plasmalab100 с источником индуктивно-связанной плазмы ICP380.
 |
 |
|---|---|
| Травление Bi2Te3 на глубину 20 мкм методом реактивного ионного травления с применением индуктивно-связанной плазмы |
Технологические особенности:
- реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц
- ВЧ управляемый нижний электрод
Результаты:
- скорость травления > 20 мкм/ч
- равномерность 4% по подложке 100 мм
- селективность к фоторезисту > 1:1