Травление ниобия (Nb)
Лаборатория OIPT: травление Nb на 0.3 мкм (фоторезист не удален)
 |
 |
|---|---|
| Лаборатория OIPT: травление Nb на 0.5 мкм с применением индуктивно-связанной плазмы (ICP). Фоторезист не удален | Лаборатория OIPT: реактивное ионное травление Nb на 0.3 мкм (RIE). Фоторезист не удален |
Технологические особенности:
- реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц
- скорость: 150 нм/мин
- равномерность 3% по 100 мм подложке
- селективность к лежащему в основе слою SiO2 >10 : 1
- профиль: анизотропный
Результаты (RIE):
- скорость: 70 нм/мин
- гелиевый поддув под подложку для обеспечения теплового контакта
- селективность к фоторезисту 1,1 : 1
- селективность к лежащему в основе слою SiO2 - 2,2 : 1
- равномерность 3,5% по 100 мм подложке