Химическое осаждение (PECVD & CVD) германида кремния (SiGe)

Производство: Oxford Instruments Plasma Technology

 

Пленка германида кремния (SiGe) толщиной 10 мкм

 

Химическое осаждение (PECVD) кремниевых нанопроводов

Производство: Oxford Instruments Plasma Technology

 

Кремниевые нанопровода выращенные на расплавленных каплях галия (Ga)

 

Химическое осаждение (PECVD) оксида титана (TiO2)

Производство: Oxford Instruments Plasma Technology

 

Пример конформного химического осаждения TiO2 с применением источника ИСП

 

Химическое осаждение (PECVD) гексагонального нитрида бора (hBN)

Производство: Oxford Instruments Plasma Technology

 

СЭМ изображение домена hBN, снятое в момент роста до завершения реакции

 

Химическое осаждение (PECVD) графена

Производство: Oxford Instruments Plasma Technology

 

Фотографии 200 мм пластины с выращенным на ней вертикально ориентированным графеном