Процессы химического осаждения покрытий из газовой фазы
Химическое осаждение (PECVD & CVD) германида кремния (SiGe)
Производство: Oxford Instruments Plasma Technology
Пленка германида кремния (SiGe) толщиной 10 мкм
Химическое осаждение (PECVD) кремниевых нанопроводов
Производство: Oxford Instruments Plasma Technology
Кремниевые нанопровода выращенные на расплавленных каплях галия (Ga)
Химическое осаждение (PECVD) оксида титана (TiO2)
Производство: Oxford Instruments Plasma Technology
Пример конформного химического осаждения TiO2 с применением источника ИСП
Химическое осаждение (PECVD) гексагонального нитрида бора (hBN)
Производство: Oxford Instruments Plasma Technology
СЭМ изображение домена hBN, снятое в момент роста до завершения реакции
Химическое осаждение (PECVD) графена
Производство: Oxford Instruments Plasma Technology
Фотографии 200 мм пластины с выращенным на ней вертикально ориентированным графеном