Skip

Химическое осаждение (PECVD & CVD) германида кремния (SiGe)

Пленка германида кремния (SiGe) толщиной 10 мкм


Оборудование:

Технологические особенности:
- реактор с двумя параллельными электродами
- реактивные газы - GeH4, SiH4
- скорость осаждения при PECVD процессе выше чем при CVD
- преимущество polySiGe над polySi в более низкой температуре перехода: 450 оС по сравнению 580 оС
- скорость осаждения : 50-200 нм/мин
017b319eb4d0f03b8b93fc7b2ba7a3ef.jpeg
слои SiGe, выращенные на SiO2, при разных условиях

На рисунке показан поликристаллический мультислой SiGe, выращенный при 450 оС, который состоит из нескольких подслоев:
1 подслой - аморфный зародышевый SiGe толщиной 100нм, осажденный PECVD способом, нужен чтобы избежать инкубационный период при осаждении на SiO2, 2 подслой - кристаллический зародышевый SiGe, осажденный CVD способом, нужен для последующего низкотемпературного PECVD процесса роста поликристаллического SiGe (3 подслой).

Результаты:
сопротивление пленки 1 мОм*см
контактное сопротивление SiGe/Al - 6x10-6-10-5 Ом*см2
внутреннее напряжение - 5 МПа


resistivity vs anneal temperature
Зависимость сопротивления пленки от температуры отжига.