Skip

Химическое осаждение (PECVD) оксида алюминия (Al2O3)


Оборудование:

Технологические особенности:
реактор с двумя параллельными электродами
газовый душ для равномерного осаждения
прекурсор - TMA

Результаты:
Скорость осаждения : > 20 нм/мин
Равномерность: +/- 5 % по 200 мм пластине
Воспроизводимость: +/- 2 %
Коэффициент преломления 1,64

a7al203a.gif
Зависимость скорости осаждения и коэффициента преломления от температуры осаждения

a7al203b.gif
РФС анализ пленки Al2O3, осажденный при температуре 400 оС и n=1.65. Содержание Al-45%, O2-55%, N и C < 0.5%