Skip

Химическое осаждение (PECVD) гексагонального нитрида бора (hBN)

СЭМ изображение домена hBN, снятое в момент роста до завершения реакции


Оборудование:

Технологические особенности:
реактор с двумя параллельными электродами
либо источник индуктивно связанной плазмы
температура 1100 оС


B1%20hBN%20growth%20process.gif
диаграмма роста hBN

B1%20hBN%20Raman3.gif
Спектр Рамана hBN выращенного на Ni фольге не показывает пиков кубической или аморфной фазы нитрида бора, а также пиков BxCxNx