Skip

Химическое осаждение (PECVD) графена

Фотографии 200 мм пластины с выращенным на ней вертикально ориентированным графеном


Оборудование:

Технологические особенности:
реактор с двумя параллельными электродами либо реактор с источником индуктивно связанной плазмы
температура процесса 1200 оС
подложка - диэлектрическая или проводящая (Ni или Cu фольга) без или с катализатором
прекурсор CH4+H2 или C2H2

74b80bcec6b41ba226c8eb439f069a4d.jpeg
graphene_raman.gif
g5_02.jpg
nc%20graphene%20raman.gif
Фотография выращенного CVD методом графена с СЭМ (оранжевые стрелки указывают на неровности)Спектры Рамана выращенного CVD методом графена                                                      Фотография выращенного CVD методом нанокристаллического графена с СЭМ.
Подложка - SiO2 (без катализатора)
Процесс с плазмой
Температура: 650° C или выше
Рабочий газ: CH4+H2

Спектры Рамана нанокристаллического графена, термически выращенного на SiO2, сапфире и кварце                       
g5_03.jpg
Вертикально ориентированный графен, выращенный с использованием плазменного разряда.
Рабочее давление: < 200 мТорр
Катализатор/подложка: Si, TiN/SiO2/Si

g5_04.jpg
Фото вертикально ориентированного графена с просвечивающего эл. микроскопа (видны 4 слоя графена)