Skip

Химическое осаждение (PECVD) оксида титана (TiO2)

Пример конформного химического осаждения TiO2 с применением источника ИСП


Оборудование:

Технологические особенности:
реактор с двумя параллельными электродами
газовый душ для равномерного осаждения
прекурсор - TMA

Результаты:
Скорость осаждения : 2-5 нм/мин
Равномерность: +/- 5 %
Воспроизводимость: +/- 3 %
Коэффициент преломления 1,8-2,1
Контролируемые растягивающие и сжимающие напряжения

TiO2%20PECVD%20EDS.jpg
TiO2%20PECVD%20EDS%202.jpg
Энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия (EDS) пленки TiO2 (лаборатория OIPT).
Пик Si связан с кремниевой подложкой.