Skip

Химическое осаждение (PECVD) карбида кремния (SiC)


Оборудование:

Технологические особенности:
реактор с двумя параллельными электродами
газовый душ для равномерного осаждения
основной реактивный газ - SiH4

Результаты:
Скорость осаждения : > 50 нм/мин
Равномерность: +/- 4 % по 200 мм пластине
Воспроизводимость: +/- 2 %
Внутренние напряжения < 150 МПа
Коэффициент преломления 2,4-2,7
sicdp_st.gif
Зависимость внутренних напряжений от ВЧ мощности (13 МГц)