Травление теллурита висмута (Bi2Te3)
Терморегуляторы и охладители Пельтье.
Производитель решил изготавливать эти элементы с использованием оборудования для микроэлектроники.
Подложки — стандартные пластины структуры кремний/оксид кремния. Пленки теллурида висмута, обладающие термоэлектрическим эффектом, были протравлены процессом сухого травления с помощью Plasmalab100 с источником индуктивно-связанной плазмы ICP380.
Травление Bi2Te3 на глубину 20 мкм методом реактивного ионного травления с применением индуктивно-связанной плазмы.
Технологические особенности:
- Реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц;
- ВЧ управляемый нижний электрод.
Результаты:
- Скорость травления > 20 мкм/ч;
- Равномерность 4% по подложке 100 мм;
- Селективность к фоторезисту > 1:1.