Реактивное травление алмаза (с применением ICP источника)

реактивное травление алмаза с применением icp источника

 

Анизотропное травление алмаза на глубину 5 мкм, со скоростью 50 нм/мин

 


Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии:
Реактивное ионное травление с или без источника индуктивно-связанной плазмы
реактор из параллельных пластин с частотой работы 13,56 МГц

Результаты:

lz%2011.jpg

Лаборатория OIPT: анизотропное травление алмаза на глубину 5 мкм, на скорости 320 нм/мин, селективность к Cr маске > 35 : 1
 

lz%2012.jpg

Лаборатория OIPT: анизотропное травление алмаза на глубину 40 мкм, на скорости 50 нм/мин, селективность к маскам Si/SiN > 1:1/2:1