Сухое травление силилированного резиста с применением ICP источника

Сухое травление силилированного резиста с применением ICP источника, описание процесса и оборудование

Процесс проведен в лаборатории OIPT.

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии:

  • Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы;
  • Независимый контроль энергии ионов и плотности ионного тока, эффективное охлаждение подложки.

Результаты:

  • Скорость травления: 150 нм/мин;
  • Равномерность: +4% (по 150 мм подложке);
  • Анизотропный профиль.

highly anisotropic etch