Сухое травление силилированного резиста с применением ICP источника

купить оборудование Oxford Instruments Plasma Technology Сухое травление силилированного резиста с применением ICP источника, описание процесса и оборудование

 

Процесс проведен в лаборатории OIPT

 



Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии:
Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы
независимый контроль энергии ионов и плотности ионного тока, эффективное охлаждение подложки


Результаты:

  • скорость травления: 150 нм/мин
  • равномерность: +4% (по 150 мм подложке)
  • анизотропный профиль

highly anisotropic etch