Skip

Реактивное ионно-лучевое травление кварца (SiO2)

Травление SiO2 глубиной 250 нм



Оборудование:

Особенности технологии:
процесс основан на фторной химии
реактивные газы подаются через ионный источник
угол наклона стенок может быть отрегулирован углом наклона подложкодержателя относительно пучка
система сконфигурирована c filamentless источником травления и кауфмановским источником осаждения

Результаты:
скорость травления: 50 нм/мин
маска: Cr (50 нм)
угол наклона 25 градусов

4ec186de960d206cbe5bc614531292df.jpeg
реактивное ионно-лучевое травление SiO2 глубиной 250нм