Ионно-лучевое травление ртутно-кадмиевого теллурида HgCdTe (CMT)

купить оборудование Oxford Instruments Plasma Technology Ионно-лучевое травление ртутно-кадмиевого теллурида HgCdTe (CMT), описание процесса и оборудование

 

Травление HgCdTe (CMT) глубиной 10 мкм

 



Особенности технологии:
гелиевый поддув под подложку
вращающийся подложкодержатель
возможность изменять углы травления
ВЧ источник
filamentless PBN
 
Результаты:
скорость травления: 160 нм/мин
маска: фоторезист
равномерность: + 5%