Ионно-лучевое травление ртутно-кадмиевого теллурида HgCdTe (CMT)

Ионно-лучевое травление ртутно-кадмиевого теллурида HgCdTe (CMT), описание процесса и оборудование

[:ru]

 

Травление HgCdTe (CMT) глубиной 10 мкм

 

[:en]Травление HgCdTe (CMT) глубиной 10 мкм [:]

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


[:ru]
Особенности технологии:
гелиевый поддув под подложку
вращающийся подложкодержатель
возможность изменять углы травления
ВЧ источник
filamentless PBN
 
Результаты:
скорость травления: 160 нм/мин
маска: фоторезист
равномерность: + 5%

 


[:en]
Особенности технологии:
гелиевый поддув под подложку
вращающийся подложкодержатель
возможность изменять углы травления
ВЧ источник
filamentless PBN

Результаты:
скорость травления: 160 нм/мин
маска: фоторезист
равномерность: + 5%




[:]