Nanofab

Системы предназначены для процессов выращивания наноструктур (нанотрубки и нанопровода), с контролируемыми параметрами роста. Nanofab также позволяет проводить процесс PECVD при стандартной и высокой температурах.

Технологические особенности системы:

• настраиваемый процесс выращивания нанопроводов и нанотрубок с температурой процесса до 1200°С;
• скорость нагрева до 130^оС/мин;
• дополнительная система жидкостного нанесения меток роста;
• охлаждаемые стенки и газовый душ обеспечивают равномерную доставку прекурсора;
• проведение процесса PECVD (осаждение оксидов, нитридов, оксинитридов);
• наличие загрузочного шлюза;
• распределение поля температур по пластине около 1^оС;
• размер подложек от малых образцов произвольной формы до пластин диаметром 200 мм;
• возможность установки эллипсометра и/или эмиссионного спектрометра;
• опционально - смещение на подложке;
• возможность объединяться в кластер с другими системами OIPT.

Возможен рост или осаждение следующих наноструктурированных материалов:
C, Si, Ge, ZnO, GaO, SiC, GaN, GaAs, GaP, InP, ZnS, InN.