Skip

Атомно-слоевое осаждение нитрида галия (GaN) с применением удаленного источника плазмы



X4%20GaN%20ALD%20AES.gifАтомно-эмиссионная спектроскопия пленки GaN толщиной 65 нм

Технологические особенности:

  • Металлический прекурсор: триэтил галия (TEGa)
  • Неметаллический прекурсор: удаленная плазма газов N2/H2
  • temperature controlled vapour draw
  • доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов
  • температура осаждения: 150° - 350°C

Длительное воздействие плазмы необходимо для уменьшения содержания кислорода в пленке, и ввиду этого увеличению коэффициента преломления. И хотя полупериод процесса равен 5с, более длительное время необходимо для достижения значений содержания примесей указанных ниже.

Результаты:

  • равномерность: < ± 0.5 - 2 % (в зависимости от размера подложки)
  • содержание примесей: C < 3% , O < 3%
  • коэффициент преломления: 2.27
  • скорость осаждения: более 1.75 A/мин (более 10 нм/час) для 100 мм подложки (скорость больше для малых подложек)

X4%20GaN%20ALD%20XRD.gif
Дифракционный рентгеновский анализ (XRD) показывает небольшой пик присущий GaN [0002].