Атомно-слоевое осаждение титаната стронция (SrTiO3 — STO) с применением удаленного источника плазмы

Атомно-слоевое осаждение титаната стронция (SrTiO3 - STO) с применением удаленного источника плазмы, описание процесса и оборудование

Лаборатория Технического университета Эйндховена: фотография с просвечивающего микроскопа пленки STO, осажденной на Si3N4. Верхний ряд — соотношение [Sr]/([Sr]+[Ti]) = 0.54. Нижний ряд — соотношение [Sr]/([Sr]+[Ti]) = 0.60.

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


STO%20ALD%20temp%20dep.gif
Зависимость скорости роста пленки за суперцикл от температуры.

Слои с повышенным содержанием Sr([Sr] / ([Sr] + [Ti] = 0,6) показывают более тонкую кристаллическую структуру из-за более высокой вероятности образования зародышей в начале процесса кристаллизации.

Технологические особенности:

  • Металлический прекурсор: Ti-Star, (pentamethylcyclopentadienyl)trimethoxy-titanium, CpMe5 Ti(OMe)Hyper-Sr, bis(trisopropylcyclopentadienyl)strontium with 1,2-dimethoxyethane adduct Sr(iPr3Cp)2 DME;
  • Неметаллический прекурсор: радикалы О2;
  • Доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов;
  • Температура осаждения: 150-350°C.

STO%20ALD%20molecule.gif
Кристаллическая структура SrTiO: красный - кислород, голубой - титан, зеленый - стронций.

Рабочие характеристики Pt/STO/Pt конденсаторов могут корректироваться в зависимости от применения (high-k applications and integrated capacitor applications) путем выбора оптимального состава и микроструктуры пленок STO, осажденных методом ALD с применением удаленного источника плазмы.

STO%20ALD%20th%20v%20cycles.gif