Термическое атомно-слоевое осаждение оксида цинка (ZnO)
Оборудование: FlexAl & OpAl
Технологические особенности осаждения:
- Металлический прекурсор: DEZ (диэтилцинк);
- Неметаллический прекурсор: H2О;
- Temperature controlled vapour draw;
- Доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов;
- Температура осаждения: 50-200°C;
- Время цикла < 4 c;
- 1.9 A/цикл (при дозе насыщения);
- Равномерность: < ± 1% (по 100 мм подложке);
- Повторяемость < ± 1%;
- Содержание основных элементов: Zn~50%, O~50%;
- Коэффициент преломления: ~1.90-1.95;
- Сопротивление 5х10-3 ом см;
ААО - анодированный оксид алюминия, получаемый электрохимическим способом на тонком образце алюминия, является шаблоном для получения наноматериалов. Аспектное соотношение может достигать 1000! (диаметр отверстия 50-100 нм, толщина шаблона - 70 мкм). На рисунке типичный шаблон с ААО до и после атомно-слоевого осаждения. Материал ZnO, SiO2 и SiN при ALD проходит сквозь отверстия и образует нанотрубки.
Зависимости скорости роста материала за цикл и коэффициента преломления от времени воздействия дозы прекурсора при 150°C.
Зависимости скорости роста материала за цикл и коэффициента преломления от температуры при дозе насыщения - 50 мс.
Эмиссионная спектроскопия пленок ZnO: Zn:O 1:1 и C<2ат.%