Атомно-слоевое осаждение нитрида гафния (HfN) с применением удаленного источника плазмы
Атомно-эмиссионная спектроскопия пленки HfN
Особенности технологии:
- TEMAH (тетроэтилметиламиногафний) нагревается до 70°C и подается методом барботирования
- неметаллические прекурсоры: NH3 или N2/H2
- доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов
- скорость осаждения 0.9 A/цикл
Преимущества использования источника удаленной плазмы
- при использовании удаленной плазмы отсутствует контакт между подложкой и разрядом
- плазма разбивает молекулы и активирует получившиеся радикалы, которые полезны для процесса роста пленки
- активные радикалы очищают подложку от примесей, приводят к более чистым осаждающимся покрытиям и снижают температуру процесса
В системах OIPT процесс ALD может быть выполнен с использованием:
- только термического механизма
- ассистирования озоном
- ассистирования удаленной плазмой
без изменения конфигурации оборудования.
Многошаговый процесс с использованием всех этих технологий может быть применен в случае необходимости