Атомно-слоевое осаждение нитрида гафния (HfN) с применением удаленного источника плазмы

Атомно-эмиссионная спектроскопия пленки HfN

Особенности технологии:

• TEMAH (тетроэтилметиламиногафний) нагревается до 70°C и подается методом барботирования
• неметаллические прекурсоры: NH₃ или N₂/H₂
• доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов
• скорость осаждения 0.9 A/цикл

Преимущества использования источника удаленной плазмы

• при использовании удаленной плазмы отсутствует контакт между подложкой и разрядом
• плазма разбивает молекулы и активирует получившиеся радикалы, которые полезны для процесса роста пленки
• активные радикалы очищают подложку от примесей, приводят к более чистым осаждающимся покрытиям и снижают температуру процесса

В системах OIPT процесс ALD может быть выполнен с использованием:
- только термического механизма
- ассистирования озоном
- ассистирования удаленной плазмой
без изменения конфигурации оборудования.
Многошаговый процесс с использованием всех этих технологий может быть применен в случае необходимости