Сухое травление силилированного резиста с применением ICP источника
Процесс проведен в лаборатории OIPT.
Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100
Особенности технологии:
- Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы;
- Независимый контроль энергии ионов и плотности ионного тока, эффективное охлаждение подложки.
Результаты:
- Скорость травления: 150 нм/мин;
- Равномерность: +4% (по 150 мм подложке);
- Анизотропный профиль.
