Реактивное ионно-лучевое травление фоторезиста

Реактивное ионно-лучевое травление фоторезиста, описание процесса и оборудование

Институт Фраунгофера, Берлин: глубина 1,5 мкм (маска — Si3N4).



Оборудование: Ionfab300Plus

Особенности технологии:

Система с ионным источником Кауфмана

ib_www.gif