Напыление меди (Cu)

Напыление меди (Cu), описание процесса и оборудование

Напыление сплошной пленки (3мкм) меди на тренч с аспектным соотношением 5:1



Оборудование:

PlasmaPro400

Особенности технологии:

sput_www.gif

Магнетронное напыление с вращающейся подложкой

Результаты:

C4_01%20Cu%20magnetron%20sputtering.jpg C4_02%20Cu%20magnetron%20sputtering.jpg C4_04%20Cu%20magnetron%20sputtering.jpg C4_03%20Cu%20magnetron%20sputtering.jpg
​Общий вид ​Толщина верхнего слоя 3 мкм,
толщина меди на боковой стенке вверху тренча 750 нм
​Толщина меди на боковой стенке в середине тренча 277 нм ​Толщина меди на дне тренча 460нм, и на боковой стенке внизу тренча 135 нм

Скорость вращения 24 нм/мин при мощности 1 кВт
Сопротивление 2 мОм*см
Низкие напряжения в пленке
Равномерный и повторяемый процесс