Магнетронное распыление кремния (Si)

Магнетронное распыление кремния (Si), описание процесса и оборудование


Оборудование: PlasmalPro System 400
Количество магнетронов:до 4 при размере мишени 200 мм

Технологические особенности:

  • Магнетронное распыление;
  • Вращающийся столик;
  • Способ питания - импульсный постоянный ток.

Результаты:

  • Высокоскоростное осаждение аморфного Si - до 160 нм/мин в статическом режиме;
  • Отличная адгезия;
  • Сжимающие внутренние напряжения 200-300 МПа;
  • Коэффициент преломления 4,5 +/- 0,1.

s5_1.jpg
Спектры Рамана, характеризующие особенности аморфного кремния.

s5_2.jpg
Коэффициент преломления Si остается постоянным при разных скоростях осаждения.