Напыление кремния (Si)

купить оборудование Oxford Instruments Plasma Technology

 

Ионно-лучевое напыление Si

 



Оборудование:

Ionfab 300 Plus

Особенности технологического процесса:
 
  • Скорость осаждения: > 20 нм/мин
  • Равномерность осаждения: <± 0.5 % по пластине в 150 мм (<± 0.1 % по диаметру 20мм)
 
Схема установки по ионно-лучевому напылению:
ib_www.gif