Напыление кремния (Si)

Ионно-лучевое напыление Si.

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


Оборудование:

Ionfab 300 Plus

Особенности технологического процесса:

  • Скорость осаждения: > 20 нм/мин;
  • Равномерность осаждения: <±0.5% по пластине в 150 мм (<±0.1% по диаметру 20 мм).

Схема установки по ионно-лучевому напылению:

ib_www.gif