Ионно-лучевое травление никеля и нихрома (Ni, NiCr)

Ионно-лучевое травление никеля и нихрома (Ni, NiCr), описание процесса и оборудование

[:ru]

 

Травление Ni на глубину 0.3 мкм (Фоторезист не удален)

 

[:en]Травление Ni на глубину 0.3 мкм (Фоторезист не удален)
[:]

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


[:ru]

411e7e36ac19fba022798a6fcab01142.jpeg

 
Технологические особенности и результаты:
  • ВЧ ионный источник диаметром 15 см для обработки 10 см подложек
  • ВЧ ионный источник диаметром 30 см для обработки 15 и 20 см подложек
  • filamentless PBN
  • гелиевый поддув под подложку
  • скорость травления с фоторезистом примерно 40 нм/мин
  • равномерность +/- 4 %
  • угол наклона боковой стенки 85°


[:en]

411e7e36ac19fba022798a6fcab01142.jpeg


Технологические особенности и результаты:
  • ВЧ ионный источник диаметром 15 см для обработки 10 см подложек
  • ВЧ ионный источник диаметром 30 см для обработки 15 и 20 см подложек
  • filamentless PBN
  • гелиевый поддув под подложку
  • скорость травления с фоторезистом примерно 40 нм/мин
  • равномерность +/- 4 %
  • угол наклона боковой стенки 85°


[:]