Ионно-лучевое травление никеля и нихрома (Ni, NiCr)

Технологические особенности и результаты:

• ВЧ ионный источник диаметром 15 см для обработки 10 см подложек;
• ВЧ ионный источник диаметром 30 см для обработки 15 и 20 см подложек;
• Filamentless PBN;
• Гелиевый поддув под подложку;
• Скорость травления с фоторезистом примерно 40 нм/мин;
• Равномерность +/-4%;
• Угол наклона боковой стенки 85°.