Ионно-лучевое травление никеля и нихрома (Ni, NiCr)
Травление Ni на глубину 0.3 мкм (Фоторезист не удален)
Технологические особенности и результаты:
- ВЧ ионный источник диаметром 15 см для обработки 10 см подложек
- ВЧ ионный источник диаметром 30 см для обработки 15 и 20 см подложек
- filamentless PBN
- гелиевый поддув под подложку
- скорость травления с фоторезистом примерно 40 нм/мин
- равномерность +/- 4 %
- угол наклона боковой стенки 85°