Ионно-лучевое травление никеля и нихрома (Ni, NiCr)
Травление Ni на глубину 0.3 мкм (фоторезист не удален).
Технологические особенности и результаты:
- ВЧ ионный источник диаметром 15 см для обработки 10 см подложек;
- ВЧ ионный источник диаметром 30 см для обработки 15 и 20 см подложек;
- Filamentless PBN;
- Гелиевый поддув под подложку;
- Скорость травления с фоторезистом примерно 40 нм/мин;
- Равномерность +/-4%;
- Угол наклона боковой стенки 85°.