Ионно-лучевое травление никеля и нихрома (Ni, NiCr)

купить оборудование Oxford Instruments Plasma Technology Ионно-лучевое травление никеля и нихрома (Ni, NiCr), описание процесса и оборудование

 

Травление Ni на глубину 0.3 мкм (Фоторезист не удален)

 



411e7e36ac19fba022798a6fcab01142.jpeg

 
Технологические особенности и результаты:
  • ВЧ ионный источник диаметром 15 см для обработки 10 см подложек
  • ВЧ ионный источник диаметром 30 см для обработки 15 и 20 см подложек
  • filamentless PBN
  • гелиевый поддув под подложку
  • скорость травления с фоторезистом примерно 40 нм/мин
  • равномерность +/- 4 %
  • угол наклона боковой стенки 85°