Атомно-слоевое осаждение нитрида кремния (SiNx) с применением удаленного источника плазмы

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


sinalda.gif
Атомно-эмиссионный анализ пленки Si3N3.4 c содержанием O2 (<3%) осажденной ALD методом.

Технологические особенности осаждения:

  • Металлический прекурсор: 3DMAS;
  • Неметаллический прекурсор: плазме N2H2;
  • Испарение при 40оС;
  • Доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов;
  • Температура осаждения: 350°C;
  • "Околостехиометрическая" структура;
  • 0.35 A/цикл (при 350°C и дозе насыщения);
  • Содержание примесей: О<3%;
  • Коэффициент преломления: ~1.95.

Оборудование: FlexAl & OpAl

ald.gif

sinald_t.gif
Зависимость толщины и показателя преломления от количества циклов.