Skip

FlexAL



Cистема атомно-слоевого осаждения (ALD) со шлюзовой камерой FlexAL - это система для самоограничивающегося послойного роста сплошных тонких пленок, отличающихся высокой конформностью

запросить коммерческое предложение...запросить сервисную поддержку...

Семейство систем FlexAL компании Oxford Instruments Plasma Technology предоставляет новые возможности в разработке наноразмерных структур и приборов, реализуя процессы атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой и термическое ALD в составе одной системы. Процесс атомно-слоевого осаждения самолимитированный, т.е. после достижения моноатомной толщины пленки процесс останавливается.

Технологические особенности системы:

  • максимальная гибкость в выборе материалов и подложек
  • низкотемпературные процессы, обусловленные наличием удаленной плазмы
  • быстродействующая система подачи газа (t<10мс)
  • высокопроизводительная система откачки, для быстрой смены среды в камере
  • повторяемость процессов ~1%
  • равномерность по 200 мм пластине <2%
  • отличное покрытие структур с высоким аспектным соотношением
  • возможность объединяться в кластер с другими системами OIPT
Характерные свойства получаемых пленок:

  • высокое пробойное напряжение
  • низкая дефектность
  • низкое сопротивление проводящих нитридов и металлов

1. Осаждение диэлектриков (на примере TiO2)

https://technoinfo.ru/catalog/462
_.jpg

2. Осаждение полупроводников (на примере In2O3)
_.jpg

3. Осаждение металлов (на примере Pt)
_.jpg

Для осаждения каждой пленки необходимо использовать специальный прекурсор. Рассмотрим эту технологию на примере осаждения оксида алюминия на кремниевую подложку, который проходит в 4 этапа (см. рис.):
a17b662b6e0ec7b14e35c95337be7a6f.png
1)                              2)                               3)                                4)

На первом этапе вы, с помощью быстродействующей системы подачи газа, напускаете в рабочую камеру прекурсор - триметилалюминий (TMA), который реагирует с поверхностью, образуя оксид алюминия с двумя метильными группами. Далее – продувка инертным газом. Третьим этапом происходит напуск кислорода в камеру с поджигом плазменного разряда. Активированный кислород реагирует с алюминием, ОН-группа вытесняет метильные группы и после еще одной продувки мы имеем слой оксида алюминия и ОН-группой. Далее эти циклы повторяются и у нас получается Al2O3