Skip

Сухое травление силилированного резиста с применением ICP источника

Процесс проведен в лаборатории OIPT


Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии:
Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы
независимый контроль энергии ионов и плотности ионного тока, эффективное охлаждение подложки


Результаты:

  • скорость травления: 150 нм/мин
  • равномерность: +4% (по 150 мм подложке)
  • анизотропный профиль

highly anisotropic etch