Skip

Реактивное ионное травление стэка SiO2/TiO2

Реактивное ионное травление стэка SiO2/TiO2 на глубину 4 мкм


Оборудование:
PlasmaPro80

Особенности технологии:
Реактивное ионное травление
частота работы реактора 13,56 МГц

Результаты:
скорость травления: 40 нм/мин (60 нм/мин для SiO2/Ta2O5)
равномерность: < +/- 4% (по 4" пластине)
селективность к фоторезисту: 0.8 : 1 (1.1:1 для SiO2/Ta2O5)
SEM
Реактивное ионное травление SiO2/TiO2 на глубину 4 мкм