Глубокое травление полиимида с применением ICP источника
Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100
Особенности технологии:
Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP)
гелиевый поддув под подложку, нижний электрод - 13 МГц
Результаты:
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|
Травление полиимида на 2-10 мкм | Травление полиимида на 2-10 мкм | Травление полиимида на 2-10 мкм |
Лаборатория OIPT: глубина 8 мкм, анизотропное травление полиимида с использованием силилированного фоторезиста
- скорость травления: >1,5 мкм/мин (3 мкм/мин с подтравом)
- маски: Ti, Al, Cr, W или SiOxNy
- селективность к Ti маске: >30:1 (к фоторезисту на основе кремния >30:1)
- равномерность: +/- 3% по 100 мм подложке
- профиль стенок: анизотропный 89-90о (технологически контролируемый)
Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100
Особенности технологии:
Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP)
гелиевый поддув под подложку, нижний электрод - 13 МГц
Результаты:
![]() | ![]() | ![]() |
---|---|---|
Травление полиимида на 2-10 мкм | Травление полиимида на 2-10 мкм | Травление полиимида на 2-10 мкм |
Лаборатория OIPT: глубина 8 мкм, анизотропное травление полиимида с использованием силилированного фоторезиста
- скорость травления: >1,5 мкм/мин (3 мкм/мин с подтравом)
- маски: Ti, Al, Cr, W или SiOxNy
- селективность к Ti маске: >30:1 (к фоторезисту на основе кремния >30:1)
- равномерность: +/- 3% по 100 мм подложке
- профиль стенок: анизотропный 89-90о (технологически контролируемый)