Глубокое травление полиимида с применением ICP источника

Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии:
Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP)
гелиевый поддув под подложку, нижний электрод - 13 МГц

Результаты:

​	​	​
​Травление полиимида на 2-10 мкм	​Травление полиимида на 2-10 мкм	​Травление полиимида на 2-10 мкм

Лаборатория OIPT: глубина 8 мкм, анизотропное травление полиимида с использованием силилированного фоторезиста

• скорость травления: >1,5 мкм/мин (3 мкм/мин с подтравом)
• маски: Ti, Al, Cr, W или SiOxNy
• селективность к Ti маске: >30:1 (к фоторезисту на основе кремния >30:1)
• равномерность: +/- 3% по 100 мм подложке
• профиль стенок: анизотропный 89-90^о (технологически контролируемый)