Skip

Напыление кремния (Si)

Ионно-лучевое напыление Si


Оборудование:

Ionfab 300 Plus

Особенности технологического процесса:
  • Скорость осаждения: > 20 нм/мин
  • Равномерность осаждения: <± 0.5 % по пластине в 150 мм (<± 0.1 % по диаметру 20мм)

Схема установки по ионно-лучевому напылению:
ib_www.gif