Напыление кремния (Si)
Оборудование:
Особенности технологического процесса:
- Скорость осаждения: > 20 нм/мин;
- Равномерность осаждения: <±0.5% по пластине в 150 мм (<±0.1% по диаметру 20 мм).
Схема установки по ионно-лучевому напылению:
Оборудование:
Особенности технологического процесса:
Схема установки по ионно-лучевому напылению: