Skip

Ионно-лучевое травление никеля и нихрома (Ni, NiCr)

Травление Ni на глубину 0.3 мкм (Фоторезист не удален) 


411e7e36ac19fba022798a6fcab01142.jpeg


Технологические особенности и результаты:
  • ВЧ ионный источник диаметром 15 см для обработки 10 см подложек
  • ВЧ ионный источник диаметром 30 см для обработки 15 и 20 см подложек
  • filamentless PBN
  • гелиевый поддув под подложку
  • скорость травления с фоторезистом примерно 40 нм/мин
  • равномерность +/- 4 %
  • угол наклона боковой стенки 85°