Процессы травления кремния (Si)
Классификация способов травления кремния
Описание классификаций способов травления кремния. Изотропное реактивное ионное травление, анизотропное реактивное ионное травление и с применением источника индуктивно связанной плазмы.
Глубокое криотравление Si для МЭМС
Образец из лаборатории технического университета г. Твенте.
Криотравление Si (контроль профиля)
Зависимость профиля стенок от концентрации О2, температуры и ВЧ мощности.
Атомно-слоевое травление Si (atomic layer etching)
Атомно-слоевое травление Si глубиной 100нм и шириной 20 нм.
Травление фотонных кристаллов в Si
Лаборатория OIPT: 5мкм отверстия протравленные в Si до SiO2.
Глубокое Bosch-травление Si с высоким аспектным соотношением
Образец из лаборатории OIPT: глубина 100 мкм, скорость травления 18 мкм/мин по пластине 200 мм с 1% открытой площади, селективность к фоторезисту 165:1
Зависимость скорости травления от аспектного соотношения (ARDE)
Типичный пример ARDE эффекта при Бош-травлении Si.
Bosch-процесс, оптимизированный по разным параметрам
Bosch-процесс травления кремния с аспектным соотношением 44:1.
Глубокое травление Si с наклонными стенками
Сквозное травление кремния (h=50 мкм) с настраиваемым наклоном стенок.
Глубокое травление Si при комнатной температуре (Bosch-процесс)
Bosch-процесс травления кремния на глубину 100 мкм.
Криотравление Si c НЧ смещением и применением ICP источника плазмы
СЭМ структуры, полученной криотравлением без НЧ смещения.
Глубокое травление Si в PlasmaProEstrelas
Тренчи после Bosch-процесса: аспектное соотношение 80:1.
Изотропное травление Si
Глубина изотропного травления Si во фторной плазме 50-100 мкм.
Получение «черного Si» сухим травлением
Черный кремний (СЭМ).