Реактивное ионное травление полосок поликремния шириной ~25 нм

Реактивное ионное травление полосок поликремния шириной ~25 нм


Оборудование: PlasmaPro100

Травление поликремния в HBr:

  • Реактивное ионное травление;
  • Анизотропный профиль;
  • Рабочая среда - HBr;
  • Скорость травления 100 нм/мин;
  • Равномерность <5% по пластине 150 мм;
  • Селективность к SiO2 > 50:1.
    rie_www.gif

​Лаборатория OIPT:
d90f40f5664217cf52ca31abd8f1420a.jpeg

28eb02d45ff5490bf296d529d257d3a9.jpeg

Травление поликремния в Cl2:

  • Реактивное ионное травление;
  • Анизотропный профиль;
  • Рабочая среда - Cl2;
  • Скорость травления 50 нм/мин;
  • Равномерность <4% по пластине 100 мм;
  • Селективность к маске Si3N4 > 30:1;
  • Селективность к подслою SiO2 > 30:1.

​Лаборатория Дортмундского университета электроники:

Толщина полосы 60 нм
217780de968378360d13acc1a21bd0a3.jpeg

Толщина полосы 25 нм
679cdb46019b60c062eb67b044121135.jpeg