Атомно-слоевое осаждение оксида гафния (HfO2)
Атомно-слоевое осаждение оксида гафния (HfO2) с применением удаленного источника плазмы
Пленка HfO2 толщиной 20 nm, осажденная на 40 мкм тренч с аспектным соотношением 25:1
Анализ поверхности
Исследование структуры и химического состава
Биология и биотехнология
Микро- и нано-электроника
Геология
Технологическое оборудование