Травление волноводов из GaAs/GaInP/AlInGaP
 |
 |
 |
| Лаборатория OIPT: Вертикально протравленный профиль (с фоторезистом) |
Лаборатория OIPT: Анизотропное травление на 3 мкм с гладкой стенкой, без подтрава |
Лаборатория OIPT: Фоторезист удален с помощью ацетона |
Технология:
- Реактивное ионное травление с источником индуктивно связанной плазмы;
- Процесс проводится с хлорной химией;
- Маска - задубленный фоторезист.
Результаты:
- скорость травления > 0.25 мкм/мин (общая);
- равномерность < ± 4 % по 2 дюймовой подложке;
- селективность > 8:1 к фоторезисту (общая;)
- контроль профиля: вертикально > 80°.