Травление ионным пучком структур InGaAs/AlGaAs для лазеров
InGaAs / AlGaAs решетка поверхностно излучающего полупроводникового лазера.
В университете Чалмерса (Гетеборг) используются две ионно-лучевые системы OIPT (Iobfab300 plus) ориентированных на химически ассистированное ионно-лучевое травление (CAIBE). Новый Iobfab300 оснащен шлюзовой камерой, ВЧ источником и беспроволочным PBN нейтрализатором.
Онлайн мониторинг с использованием HeNe лазерного интерферометра.
Верхний график иллюстрирует структуру волновода и посчитанную отражательную способность.
Нижний график показывает сигнал детектора во время травления. Материал - это InGaAs/AlGaAs структура лазера со специально внедренным слоем для определения точки окончания травления.
Процесс: реактивное ионно-лучевое травление с применением Cl/BCl3 химии.