Травление вольфрама (W)

Лаборатория OIPT: Анизотропное реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при -40°С. Аспектное соотношение 3:1; Толщина канавок 30 нм; Скорость травление 60 нм/мин; Маска из Cr.	Лаборатория OIPT: Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при комнатной температуре. Угол наклона стенок 88°; Скорость травление 150 нм/мин; Маска из фоторезиста (удален).
​	​
​Лаборатория OIPT: Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при комнатной температуре. Угол наклона стенок 88°; Скорость травление 150 нм/мин; Маска из фоторезиста (удален).	​Лаборатория OIPT: Анизотропное реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) Толщина канавок 30 нм; Скорость травление 60 нм/мин; Маска из Cr.

Технологические особенности:

• Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE);
• Гелиевый поддув под подложку, обеспечивающий тепловой контакт;
• Процесс проходит с фторсодержащей химией без осаждения полимеров на стенки камеры.

Результаты:

• Скорость: 50 (RIE) - 200 нм/мин (ICP - RIE);
• Равномерность: 3%;
• Контролируемый профиль стенки (путем регулировки концентрации кислорода и температуры процесса);
• Селективность к Cr маске > 20:1;
• Селективность к фоторезисту 5:1;
• Селективность к SiO₂ маске 10:1.