Травление фоторезиста для трехуровневых структур

Травление фоторезиста для трехуровневых структур

Реактивное ионное травление фоторезиста на глубину 5 мкм.



Оборудование:

PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии и результаты:

​Реактивное травление с применением
индуктивно-связанной плазмы
Реактивное ионное травление​
icp_r_ww.gif rie_www.gif
SEM
глубина - 10 мкм
скорость травления >200 нм/мин
(фото из подразделения компании Siemens)
SEM
глубина - 5 мкм
скорость травления: 50-100 нм/мин
(фото из университета Касселя)