Сухое травление фоторезиста SU-8

Сухое травление фоторезиста SU-8, описание процесса и оборудование

Изотропное реактивное травление SU-8 с применением ICP источника плазмы на оборудовании PlasmaPro80 и PlasmaPro100. Особенности технологии, результаты.



Оборудование:

PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии:

Реактивное ионное травление с или без применения источника индуктивно-связанной плазмы (ICP)
945f6fac9b36e4e7b1b7b2cce7e3fa44.jpeg

Результаты:

  1. Анизотропное реактивное ионное травление фоторезиста SU-8 на глубину 20 мкм
    маска - Ni, скорость травления - 1,5 мкм/мин
    SU-8 RIE etch
  2. Изотропное реактивное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP)
    горизонтальная скорость травления > 1 мкм/мин
    SU-8 ICP etch