Магнетронное распыление Титана (Ti)

Магнетронное распыление Титана (Ti), описание процесса и оборудование


Оборудование: PlasmalPro System 400
Количество магнетронов:

  • до 4 при размере мишени 200 мм;
  • до 5 при размере мишени 150 мм;
  • до 6 при размере мишени 100 мм.

Технологические особенности:

  • Магнетронное распыление;
  • Вращающийся столик;
  • Способ питания - постоянный ток.

Результаты:

  • Сопротивление 7х10-7 Ом*м (толщина слоя - 400 нм);
  • Отражение (на длине волны 436 нм относительно Si) > 115% (толщина слоя 500 нм);
  • Скорость нанесения: 30 нм/мин (при вращении); 300 nm/ min (при статике);
  • Равномерность: +/- 5% (подложка диаметром 6 дюймов).

ti_gr1.gif
Зависимость коэффициента отражения Ti относительно Si от толщины слоя (нанесение при комнатной температуре).

ti_gr2.gif
Зависимость сопротивление титана от толщины слоя (нанесение при комнатной температуре).