Магнетронное распыление кремния (Si)

Оборудование: PlasmalPro System 400
Количество магнетронов:до 4 при размере мишени 200 мм

Технологические особенности:

• Магнетронное распыление;
• Вращающийся столик;
• Способ питания - импульсный постоянный ток.

Результаты:

• Высокоскоростное осаждение аморфного Si - до 160 нм/мин в статическом режиме;
• Отличная адгезия;
• Сжимающие внутренние напряжения 200-300 МПа;
• Коэффициент преломления 4,5 +/- 0,1.

Спектры Рамана, характеризующие особенности аморфного кремния.

Коэффициент преломления Si остается постоянным при разных скоростях осаждения.