Криотравление Si (контроль профиля)
Зависимость профиля стенок от концентрации О2, температуры и ВЧ мощности.
Оборудование: PlasmaPro100
Особенности технологии:
Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы.
Зависимость профиля тренча от температуры техпроцесса:
Зависимость профиля тренча от содержание кислорода в техпроцессе:
Зависимость профиля тренча от ВЧ смещения на столике в техпроцессе:
